الثلاثاء 28 يوليو 2026 مـ 06:15 مـ 12 صفر 1448 هـ
بوابة المواطن المصري
وزير الكهرباء يشهد افتتاح مصنع لإنتاج المكونات الكهربائية وحلول البنية التحتية بمشاركات واسعة.. الرقابة النووية والإشعاعية تُطلق العدد التاسع من مجلتها التوعوية روساتوم: المحطة النووية العائمة الوحيدة بالعالم تنجح بالمراجعة الدورية للرابطة العالمية لمشغلي المحطات النووية رواد الهندسة الحديثة تفوز بمشروع إنشاء شبكات البنية التحتية بمدينة السادات الصناعية النتيجة على الأبواب.. الخميس ولا السبت؟ موعد ظهور نتيجة الثانوية العامة 2026 الكهرباء تكشف حقيقة رفع أسعار الفواتير.. وهل هناك عودة لتخفيف الأحمال؟ وزارة التعليم العالي تعلن القائمة المحدثة للجامعات الأهلية المعتمدة للعام 2026/2027 رئيس الوزراء يتابع مستجدات جهود إعادة هيكلة الشركات المملوكة للدولة توجيه عاجل من الحكومة بسرعة توفيق الأوضاع البيئية لمنطقة العكرشة الصناعية بالقليوبية ظهرت الآن.. رابط استعلام نتيجة الثانوية الأزهرية 2026 وحدة العمل الجماهيري المركزية باتحاد «بشبابها» تعقد اجتماعها الأول لوضع خطة العمل خلال المرحلة المقبلة وزير الكهرباء يلتقي برؤساء البعثات الدبلوماسية والقنصلية بالخارج ويطرح مجالات العمل المشترك

«سامسونج» تخطط لتوسيع إنتاج الرقائق الإلكترونية.. «تفاصيل»

سامسونج
سامسونج

أفادت صحيفة "كوريا هيرالد" بأن شركة سامسونج للإلكترونيات (Samsung Electronics) تخطط لتوسيع إنتاجها من رقائق أشباه الموصلات في مصنعها في مقاطعة جيونجي، شمال غربي كوريا الجنوبية، وهو أكبر منشأة لتصنيع الرقائق تابعة للشركة، في خطوة تتناقض مع انخفاض الاستثمار من صانعي الرقائق المتنافسين، والتباطؤ الاقتصادي العالمي وتراجع الطلب.


ونقلت "كوريا هيرالد"، اليوم الاثنين، عن خبراء في الصناعة قولهم إن عملاق التكنولوجيا تدرس التوسع في إنتاج الرقائق من أجل التفوق على منافسيها ودعم سعر سهم الشركة بمجرد انتعاش السوق.


وأضافت الصحيفة، نقلا عن تقارير لموقع أنباء سامسونج (SamMobile)، أن خطط التوسع تتضمن رقائق DRAM (شرائح ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية) سعة 12 بوصة، كما تعتزم الشركة زيادة قدرة المصنع لإنتاج شرائح 4 نانومترات.


وكانت شركة سامسونج للإلكترونيات قد أعلنت الأسبوع الماضي عن تطوير ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية بسعة 16 جيجابايت، تم إنشاؤها باستخدام أول تقنية معالجة من فئة 12 نانومترًا في الصناعة.
وفي ظل خطط بدء الإنتاج الضخم في عام 2023، قالت الشركة: "ستعمل ذاكرة DRAM الجديدة على تطوير حوسبة الجيل التالي ومراكز البيانات وتطبيقات الذكاء الاصطناعي بأداء رائد في الصناعة وكفاءة أكبر في استهلاك الطاقة".